“超级周期”！一图看懂各类存储

周二存储概念股领涨半导体，东芯股份20CM涨停，普冉股份涨超14%，帝科股份、精智达涨超10%，康强电子、华天科技涨停。

消息面上，据澎湃新闻，韩国《电子时报》报道，今年第一季度，三星电子将NAND闪存的供应价格上调了100%以上，这一涨幅远高于市场此前预期，此前调研机构TrendForce预测今年涨价幅度为33%至38%。

而三星电子此前已通知客户，将旗下所有存储半导体产品的价格上调。据悉，此次涨价涉及高带宽内存（HBM）、DDR5和DDR4等通用DRAM。

野村证券等海外投行指出，即使是市场排名第五的SanDisk，也计划在新的一年将NAND价格上调100%。一位行业相关人士表示，与DRAM的情况如出一辙，NAND制造商纷纷加入涨价行列，全行业的全面提价已成定局。

NAND涨价主要是由于随着数据中心扩张，企业级固态硬盘（eSSD）需求爆发，以及“端侧AI”推动移动设备和PC向高容量存储升级，需求端呈现指数级增长。然而，供给端并未能及时跟进，导致存储芯片市场正陷入“有价无货”的局面。

花旗、摩根士丹利以及美国银行研究团队一致认为，AI浪潮驱动的“存储芯片超级周期”全面到来，且这一轮周期的强度与持续时间长度可能远远强于2018年的那轮“云计算时代驱动的存储超级牛市”。

以Peter Lee为首的花旗分析师预计，2026年DRAM与闪存产品的平均售价或将分别上涨88%、74%，涨幅高于花旗此前预测的53%、44%。

分析师指出，受AI应用程序使用率提升，以及AI训练和推理专用中央处理器需求增长的推动，今年通用型存储器产品预计将出现严重短缺。

野村分析师认为，这一轮始于2025年下半年的“存储芯片超级周期”至少延续至2027年，并且真正有意义的新增供给最早要到2028年初期才会出现。