“这次涨价的特别之处在于，我在这个行业这么多年，之前从未见过涨价周期能够持续这么久。”国内一家存储模组厂的员工近日向财联社记者感叹道。
眼下，存储芯片市场正经历一场由AI驱动的、前所未有的全面缺货与涨价潮。这场始于上半年的涨势，进入第四季度非但没有趋缓，反而有进一步加剧的迹象。
有存储产业链人士告诉财联社记者，目前部分存储原厂已经对部分DRAM和Flash产线采取暂停报价策略；涨价压力亦已传导至终端市场，小米集团创始人雷军24日在微博上直言，“最近内存涨价实在太多”。
究其原因，此轮涨价的核心驱动力并非简单的周期性波动，而是以HBM为代表的AI需求爆发，正彻底打破存储行业的传统供需平衡。
TrendForce集邦咨询分析师许家源向财联社记者指出，原厂产能正优先分配给高阶Server DRAM和HBM，从而挤压了传统消费电子所需的DDR4、LPDDR4X等旧制程产品供给，DDR4的紧缺或持续到26年的H1。对于国内厂商而言，许家源认为模组厂已积极储备颗粒及晶圆（wafer）库存，国内存储产业链正试图通过积极囤货和调涨价格，迎接这场结构性景气新时代。
四季度涨势超预期：AI驱动“计划性牺牲”引发供应结构失衡
众所周知，存储行业周期性极强，大涨后往往伴随着低迷。而今年，存储芯片价格的上涨已持续超过半年，进入四季度，其涨势非但没有趋缓，反而因多重因素叠加而进一步加剧。
CFM闪存市场最新报价显示，产业上游成本的急速攀升，DDR4 16Gb 3200现货报价本周已达到13.00美元，较上周暴涨30%；同时，512Gb Flash Wafer价格10月以来累计涨幅也已超过20%。
有存储产业链人士向财联社记者透露，目前原厂的部分DRAM和Flash产品已经处于停止报价状态，就算报价，价格有效期也很短，“一天一个价”她说。
许家源则向记者预计，DRAM的整体价格（加计HBM）在第四季度将季增13%-18%。
多位存储从业人士均向记者表示，这种产业链全面上涨如此之长时间的“超级周期”，此前见所未见。
资本市场亦对这轮“超级周期”反应热烈。10月24日，A股存储芯片概念再度爆发，普冉股份（688076.SH）、香农芯创（300475.SZ）强势20%涨停，佰维存储（688525.SH）、江波龙（301308.SZ）等涨超10%。
AI驱动的产能转移引发产品供应的结构性失衡是此轮涨价的核心逻辑。
AI大模型的发展，带动着产业链对于GPU等基础设施的需求。摩根士丹利日前预测，今年科技巨头在AI基础设施上的投入将达到4000亿美元。这创造了存储芯片的海量需求。Yole Group预计，2025年，主要用于GPU生产的HBM产品的营收预计将接近翻倍，达到约340亿美元；HBM 市场将在2030年前保持33%的年复合增长率，届时其营收将超过 DRAM 市场总营收的50%。
而由于HBM所消耗的晶圆容量是标准DRAM的三倍多，在总产能有限的情况下，迫使存储巨头们将产能重点转向利润更高的HBM和DDR5。许家源告诉财联社记者，原厂已将产能优先保障生产Server DRAM及HBM。
因此，随着原厂将产能优先转移至火热的高价值产品，DDR4、LPDDR4X等旧制程产品则开始面临“计划性牺牲”而供应紧缺，产品涨价范围也从需求暴增的HBM扩大至整个存储市场。
多位模组厂人士向记者表示，从今年一季度开始，DDR4的原厂价格持续走高。根据慢慢买App，一款金士顿（Kingston）的DDR4台式机内存条，价格从今年3月开始急速上涨，目前售价已超去年同期两倍。
手机等终端市场也对存储涨价产生反馈。23日发售的Redmi K90系列手机部分版本售价较上一代上调了100-400元不等，小米集团总裁卢伟冰对此公开表示，来自上游的成本压力，已真实的传导到了其新品定价上。他坦言，无法改变全球供应链的走势，存储成本上涨也远高于预期，且会持续加剧，但小米希望这份诚意能够让大家理解。
许家源指出，未来，DDR4供给预计将持续紧缺，至少延续至1H26。威刚董事长陈立白也在日前公开表示，看好第四季才是存储大多头的起点，也是存储严重缺货的开始，明年产业荣景可期。
对于这种情况，许家源告诉记者，不少下游厂商已经在想办法应对。其中，PC OEMs正在加速导入DDR5机种来应对，而TV、网通等Consumer领域则放缓了由DDR3转至DDR4的进程。
国内模组厂积极囤货待涨
在这轮由AI开启的行业新周期中，国内存储产业链的各环节正积极调整策略，试图扩大盈利能力并提升市场地位。
此次“超级周期”对各个生产环节影响存在明显差异。首先，对于模组厂而言，囤货成为应对涨价、确保盈利的关键。江波龙证券部人士告诉财联社记者，上游涨价对公司的毛利率有正向的贡献，因为公司提前有存货。许家源也表示，八月以来模组厂已积极储备颗粒及晶圆（wafer）库存、并调涨模组产品定价。
不过，并非所有模组厂商都采取大规模囤货的政策。朗科科技证券部人士表示，公司采取“清库存”的运营模式，库存量相对同行要少一些，因此业绩波动性会小一些。
芯片设计公司和分销商则更依靠于产业链的价格传导。
普冉股份（688076.SH）证券部人士向财联社记者表示，公司正与下游客户商谈涨价，“四季度开始有一些供给紧张，然后肯定是跟下游商谈，想要博弈去看一下是不是能有涨幅。”
分销商的香农芯创（300475.SZ）证券部人士表示，公司就分销业务而言，毛利水平基本上是稳定的，但上游采购价格上涨，分销给下游的价格也会上涨，“存储的行情影响，对我们影响更多的是量带来的变化，毛利的变化不会特别大。”
值得注意的是，国际原厂的涨价需求已传导至国内晶圆厂。国内一家存储大厂人士向财联社记者表示，国外原厂涨价令部分国产厂商转向国内晶圆厂。在这种背景下，原厂获利显著扩大已是行业共识。
最后，在这种结构性变革中，国产厂商也正加速拥抱AI新周期。
除积极扩大企业级SSD等产品的供应，国内企业正将目光聚焦于HBM、先进封装和服务器DDR5等高附加值领域，力图在国际大厂战略性调整产能之际抓住机遇。
目前，国产HBM产业链上较成熟的环节在于检测设备、先进封装等。赛腾股份(603283.SH)日前在投资者平台表示，公司HBM检测设备已得到海外大客户的认可并已批量出货，国内市场正在积极开拓中；中微公司（688012.SH）此前也公开表示，已在先进封装领域（包含高宽带存储器HBM工艺）全面布局，包含刻蚀、CVD、PVD、晶圆量检测设备等，且已经发布CCP刻蚀及TSV深硅通孔设备。
此外，佰维存储日前表示，公司的晶圆级先进封测制项目正处于投产准备过程中，项目建设完成后将为客户提供“存储+晶圆级先进封测”一站式综合解决方案，进一步提升公司在存算整合领域的核心竞争力。
许家源预测，随着各大原厂的HBM产能释放，虽然预计2026年HBM3e可能面临供过于求压力，但新世代的HBM4具有技术门槛，仍呈供不应求态势。
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