美国撤销三星、SK海力士、英特尔在华VEU豁免 存储国产化窗口期再度打开

8月30日，《中国经营报》记者查询联邦公报（Federal Register）于2025年8月29日归档的文件了解到，特朗普政府已决定撤销三星电子、SK海力士在中国业务的“验证最终用户”（Validated End-User, VEU）授权。这一政策变动将于公告发布后120天生效，旨在进一步限制中国获取先进芯片制造技术，或将加剧全球半导体供应链的紧张局势。

探索科技首席分析师王树一对记者分析，三星与海力士在华产能可观，若美方完全切断供应链，短期内非美替代跟进难度较大，现有产能外迁亦时间不足，或将引发存储器供给紧张。

VEU是美国商务部工业与安全局（BIS）设立的一种制度，旨在简化对受信任的、低风险的外国最终用户的出口流程。被列入VEU清单的企业，可以从美国进口指定的受管制物项（包括半导体设备和技术）而无须再单独申请出口许可证。

根据美国商务部工业与安全局修订的《出口管理条例》（EAR），美国将从中国VEU授权列表中移除三星中国半导体有限公司（Samsung China Semiconductor Co. Ltd.）、SK海力士半导体（中国）有限公司

SK hynix Semiconductor (China) Ltd.

以及英特尔半导体（大连）有限公司

Intel Semiconductor (Dalian) Ltd.

。此前，这些公司享有VEU豁免，可无须逐笔申请许可证，直接从美国进口芯片制造设备到其位于中国的工厂。撤销后，这些企业必须为每笔相关交易申请单独出口许可证。

资料显示，三星中国半导体有限公司成立于2012年，是三星电子为推进其存储芯片业务全球布局，投巨资在西安建设的半导体制造工厂。当前，三星西安工厂是全球最大的NAND闪存生产基地之一。

SK 海力士半导体（中国）有限公司成立于2005 年，位于江苏省无锡市，是存储芯片制造商韩国SK海力士最大规模海外生产基地，主要生产DRAM。

英特尔半导体（大连）有限公司成立于2006年，曾是英特尔在华重要的NAND闪存生产基地。2020年10月，SK海力士与英特尔达成协议，以90亿美元整体收购后者NAND闪存及SSD业务，交易分两个阶段，SK海力士于2021年完成对英特尔NAND和SSD业务的首笔交割，截至2025年3月，SK海力士已完成对英特尔NAND业务及大连工厂的全面收购，工厂现由SK海力士全资子公司运营。

撤销VEU意味着三家公司在中国工厂的半导体生产（如NAND、DRAM）将面临更严格审查，可能影响供应链和产能扩张。

国内集成电路行业专业人士认为，这一举措将给三星、SK海力士在华工厂带来产能冻结、资本开支被迫外迁、客户转移、供应链再分配等诸多风险。在供应链再分配方面，国产模组厂（比如江波龙、佰维、时创意）短期或受益。

国内集成电路行业专业人士亦表示，存储国产化的窗口机遇再次打开，国产存储厂商长江存储、长鑫存储将获得更明确的市场缺口和发展机遇。而中微公司、北方华创、拓荆等设备与材料的国产替代紧迫性随之上升。

报道显示，长江存储正深化与本土工具制造商，如专门从事蚀刻设备的中微公司、专注于沉积和蚀刻设备的北方华创、沉积设备供应商拓荆科技的合作，加速替换外国设备。这可能提升本土公司在光刻胶、蚀刻机等领域的竞争力，甚至是成熟工艺的竞争力。

“120天的缓冲期，政策再有变化也有可能。”王树一同时指出，事件或仍有回旋余地，停产概率不高。长期来看，美国以限制中国为由损害盟友商业利益，将反噬自身，并加速非美生态壮大。